| 【MEMS／ナノ機能の複合技術の開発】 |
| ＜開発の必要性＞ |
（１）ＭＥＭＳデバイスの高度化に係わる開発の進展の中で、従来の高機能化では限界に直面し、実用のレベルに達しないという問題が生じているケースが見られている。また、デバイスの小型化に際してデバイスに付与すべきセンシング機能や機械的接点の高信頼性化機能などに著しい性能向上が必要となっている。
（２）昨今のナノテクノロジーの研究成果は主に材料分野に見られてきた。その中で、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）やバイオ系材料の基本特性の解明に伴うデバイスへの適用に萌芽が見られてきている。また、ＭＥＭＳデバイスに関する新たな製造方法の研究からナノ機械構造体やナノ材料の選択的形成による機能の獲得の可能性が増大している。
（３）上記を踏まえ、選択的ナノ機械構造体形成技術、バイオ材料の選択的修飾技術、ナノ材料の選択的形成技術、ナノ機能を組み込んだＭＥＭＳデバイスの製造技術を開発する。 |
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１）選択的ナノ機械構造体形成技術
委託先：国立大学法人東京大学 （下山 勲 教授）
２）バイオ材料（タンパク質など）の選択的修飾技術
委託先：独立行政法人産業技術総合研究所 バイオニクス研究センター
３）ナノ材料（CNTなど）の選択的形成技術
委託先：独立行政法人産業技術総合研究所 ナノカーボン研究センター
４）ナノ機能を組み込んだMEMSデバイスの製造
助成先：三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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| 【MEMS／半導体の一体形成技術の開発】 |
| ＜開発の必要性＞ |
（１）ＭＥＭＳ－半導体の集積化技術は、設計の煩雑さ、製造設備の重複化など集積度が上がるにつれて複雑さ・困難さが増大するものの、デバイスの小型化、高機能化、高信頼性化の実現にとって重要な技術として期待が大きい。特に、自動車用センサや無線通信端末などの今後の高度化に不可欠な研究開発課題となっている。
（２）ＭＥＭＳ－半導体の集積化技術の研究は、ＣＭＯＳ互換プロセス上でのＭＥＭＳ加工技術、ＭＥＭＳと異なった機能要素（電子回路、受動素子など）の多層・モノリシック集積技術、新たな配線結合技術など、従来技術から一歩踏み込んだ領域に成果が見られるようになり、内外での取り組みが活発化しつつある。
（３）上記を踏まえ、ＭＥＭＳ‐半導体プロセス統合モノリシック製造技術、ＭＥＭＳ‐半導体縦方向配線技術、ＭＥＭＳ‐半導体横方向配線技術を開発する。 |
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１）MEMS-半導体プロセス統合モノリシック製造技術
（新たなMEMSセンシング原理の探索）
委託先：立命館大学 （杉山 進 教授）
２）MEMS-半導体横方向配線技術
（高密度な低温積層一体化実装技術）
委託先：独立行政法人産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
再委託先：
国立大学法人静岡大学 （鈴木 久男 教授）
国立大学法人大阪大学 （阿部 浩也 准教授）
国立大学法人東京工業大学 （鶴見 敬章 教授）
３）MEMS-半導体横方向配線技術
（高密度な低温積層一体化実装技術）
委託先：国立大学法人東北大学 （小柳 光正 教授）
４）MEMS-半導体プロセス統合モノリシック製造技術
助成先：株式会社日立製作所 中央研究所
５）MEMS-半導体縦方向配線技術
助成先：オムロン株式会社 技術本部先端デバイス研究所
６）MEMS-半導体縦方向配線技術
（三次元配線構造インターポーザル技術）
助成先：株式会社フジクラ 電子デバイス研究所
７）MEMS-半導体横方向配線技術
助成先：株式会社東芝 研究開発センター
再委託先：
国立大学法人東京大学 （年吉 洋 准教授）
国立大学法人静岡大学 （中本 正幸 教授）
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| 【MEMS／MEMSの高集積結合技術の開発】 |
| ＜開発の必要性＞ |
（１）ＭＥＭＳデバイスを構築する場合に、その扱う物理量により従来の平面的な実装ではなく縦方向の組立が効率的な場合がありうる。しかしながら、これまでは縦方向の組立精度やプロセス技術上の障害などにより達成できていなかった。今後、特に医療用小型センサの小型、高精度、無線化や住宅やセキュリティなどの小型、低コスト化が求められるデバイスには不可欠な課題となってくる。
（２）表面活性化による低温接合技術や非Ｓｉ系の微細加工技術が発展し、従来技術から一歩踏み込んだ領域に成果が見られるようになり、内外での取り組みが活発化しつつある。
（３）上記の課題を踏まえ、多層ＭＥＭＳ集積化技術、ビルドアップ型多層ＭＥＭＳ集積化技術、多層ウェハレベル接合体の低ストレスダイシング技術を開発する。 |
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１）多層ウェハレベル接合体の低ストレスダイシング技術
委託先：財団法人レーザー技術総合研究所
国立大学法人東北大学 （江刺 正喜 教授）
再委託先：
国立大学法人大阪大学 （宮永 憲明 教授）
２）異種材料多層MEMS集積化技術
助成先：オリンパス株式会社 MEMS開発本部
再委託先：
東京工科大学 （宮地 寛登 助教）
３）ビルドアップ型多層MEMS集積化技術
助成先：パナソニック電工株式会社 EMITデバイス開発部
４）ビルドアップ型多層MEMS集積化技術
（チップレベルの高精度接合技術）
助成先：横河電機株式会社 技術開発本部先端技術研究所
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| 【高集積・複合MEMS知識データベースの整備】 |
| ＜開発の必要性＞ |
（１）現状において高集積・複合ＭＥＭＳ製造技術に関しては未知の分野であり、科学技術的知見の蓄積・整理がほとんど進んでいない。
（２）高集積・複合ＭＥＭＳ製造技術の開発の成果あるいはこれに関連する新たなる知見については、これら高度ＭＥＭＳの開発を目指す企業研究者･技術者の新製品開発･実用化に寄与することにより、新たな産業の創造に資することとなる。 |
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１）高集積・複合MEMS知識データベースの整備
委託先：財団法人マイクロマシンセンター
再委託先：
国立大学法人東京大学 （杉山 正和 准教授）
国立大学法人東京大学 （藤田 博之 教授）
国立大学法人東京大学 （三田 吉郎 准教授）
国立大学法人東京大学 （須賀 唯知 教授）
慶応義塾大学 （三木 則尚 専任講師）
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| 【高集積・複合ＭＥＭＳシステム化設計プラットフォームの開発】 |
| ＜開発の必要性＞ |
（１）近年、米国を中心として設計プラットフォームを用いた表面集積化の動きが活発化し、高集積MEMSに関わる製造技術、設計技術の両面を備えたトータルな研究開発により、高集積MEMS製品の成功事例が増加してきている。
（２）しかしながら、高集積・複合ＭＥＭＳ製造技術の研究開発項目であるＭＥＭＳ／ナノ機能の複合、ＭＥＭＳ／半導体の一体形成技術、ＭＥＭＳ／ＭＥＭＳの高集積結合技術に共通する統一的な設計手法の開発はほとんど行われていない。
（３）本研究開発項目は上記を踏まえ、ＭＥＭＳ構造体と異種材料との複合化や集積化に対応する高集積・複合MEMSシステム化設計プラットフォームに関する開発を行い、実用化までの期間を大幅に短縮し、国内市場の更なる活性化と国際的な優位性の確保することにある。
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１）高集積・複合ＭＥＭＳシステム化設計プラットフォームの開発
委託先：財団法人マイクロマシンセンター
再委託先：
国立大学法人静岡大学 （橋口 原 教授）
国立大学法人京都大学 （土屋 智由 准教授）
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国・NEDO主導の高集積・複合MEMS製造技術開発事業（ファインMEMSプロジェクト）においては、NEDOのプロジェクト管理の下に、助成事業８企業、委託事業大学４研究室、産総研３グループ、公益法人２団体が研究開発を実施しました。本プロジェクトにおける、それぞれの機関の役割、研究内容について以下に示します。
