［ファインMEMSプロジェクト 2006-2008］

研究開発テーマ：ＭＥＭＳ／半導体の一体形成技術の開発

MEMS-半導体縦方向配線技術

（助成事業：オムロン株式会社）

CMOS・LSI２層とMEMS１層以上を縦方向に集積したMEMSデバイスの製造技術を開発する。 CMOS・LSIとMEMSの電気的な縦方向配線には、直径5μm以下、アスペクト比50以上の貫通孔配線を用い、ウェハレベルの接合により、 CMOS・LSIとMEMSの電気的接続を実現する。

　開発者の抱負

　佐々木　昌

　技術本部　先端デバイス研究所　コア技術グループ　主査

我が国製造業の基幹部品であるMEMSデバイスの進展に必須の「縦方向配線技術」を「技術ロードマップ」に基づいて構築することによりMEMS産業の発展に貢献します。