【定 義】 シリコン基板上に不純物を拡散してピエゾ抵抗効果を発生させたひずみゲージ。
【解 説】 ｎ型（またはｐ型）シリコン基板上にｐ型（またはｎ型）拡散層を形成すると、ピエゾ抵抗効果が発生し、このチップはひずみゲージとして用いることができるようになる。 拡散型ゲージは、抵抗線ひずみゲージに比べて小型化・高感度化が可能である。また、シリコンダイアフラム上に集積できるため、非常に小型の圧力センサを形成できる。 しかしながら、拡散型ゲージは抵抗線ひずみゲージと同様に温度変化によっても出力が変化するため、補正が必要である。
【参考資料】 (1)(4)