【定　義】　光を利用して微細パターンを基板に転写する技術。

【解　説】　ガラス板上に所望のパターンを描いたものをマスクとし、フォトレジストと呼ばれる感光性材料の薄層を形成しておいた基板に、マスクを通した可視光あるいは紫外光を露光する。 露光によってフォトレジストの現像液に対する溶解度が変化するため、現像工程で、マスクに対応するパターンがフォトレジストに転写されることになる。 この技術はシリコンプロセスには欠かすことができないものである。 半導体関連で必要とされるパターンの横分解能はサブμｍのオーダに達しており、より短い波長の光が用いられるようになってきている。

【参考資料】 (1)(2)(3)(5)(6)(7)(8)

【関連用語】 電子ビームリソグラフィ､ フォトマスク