【定　義】　電界を加えることにより、誘電体に機械的歪みを発生する効果。

【解　説】　セラミックの電歪効果は、陽イオンと陰イオンがバネで結ばれて、結晶格子を形成しているモデルで説明できる場合が多い。 電界がかかると、導電体でない限り陽イオンは電界方向に、陰イオンは逆方向に引かれ、これが応力の起源になって結晶格子を変形させる。 電界で誘起されるひずみは、結晶構造で決定されるイオン間バネの性質によって２種類ある。 中心対称性結晶では、バネの伸びと縮みが隣同士でほとんど打ち消し合い、通常ひずみは小さい。 しかし詳しく見れば、バネの持つ非調和性が電界の２乗に比例するひずみをもたらす。 これを電歪効果と呼ぶ。 一方、中心対称性を持たない結晶では、電界に比例したひずみを生じる。 これを逆圧電効果と呼ぶこともある。　

【参考資料】 (2)(4)

【関連用語】 圧電効果