ロストウェハプロセス 【ろすとうぇはぷろせす:Lost wafer process】 0604001-93

【定 義】 選択エッチングによって基板のほとんどを除去し、拡散層を形成した部分だけを残す技術。

【解 説】 通常、基板上に製作される電気的回路は表面から深さ数μm程度までを利用している。 そこで、電気的回路部分を残し、それより下の部分はエッチングなどによって除去してしまい、回路部分をガラス基板等に接合して、センサなどを製作するプロセスをいう。 多重微小電極、視覚イメージャ、マルチプローブSTMなどが試作されている。

【参考資料】 (1)(3)

【関連用語】