化学機械研磨、CMP【かがくきかいけんま：chemical mechanical polishing】

【定　義】　化学反応によるエッチングとと（砥）粒による機械的研磨とを組み合わせた基板平たん（担）化プロセス。（JIS/2016)

【解　説】　化学機械研磨は，主に半導体製造工程で基板に生じる段差を平たん（担）化するために適用される。段差は，基板，酸化膜，金属膜など複数の材料で形成されるため各種材料を選択的に除去するスラリーによって平たん（担）化する。MEMSデバイスでは，ウエハレベルパッケージングにおける接合面の平たん（担）化などに適用されている。（JIS/2016)

【参考資料】

【関連用語】