【定　義】　加速イオンの照射によって、材料内に不純物層を形成する技術。

【解　説】　数百keVから数MeVに加速したイオンを試料に当てると、イオンは試料内に侵入していくようになり、試料の物性を変化させることができる。 集積回路製造において、ドーピングや材料の表面改質に利用されている。

【参考資料】 (1)(4)(7)

【関連用語】 スパッタリング､ ドーピング